瀾起科技基本面分析(報告節選)全面剖析競爭力
商業模式升級-平台化(2016~):在成為內存接口晶片細分領域龍頭後,公司開始著手產線多樣化布局。自 2016 年起,公司攜手 Intel、清華大學及國內知名伺服器廠商,進一步開發津逮伺服器平台產品,大力拓展數據中心產品市場;公司的接口類晶片產品線也已經由內存接口晶片延伸到多品類全互連晶片。為優化資源配置、提升運營效率,公司於 2017 年將消費電子晶片業務剝離,未來將聚焦於伺服器晶片領域,圍繞雲計算和人工智慧,不斷豐富產品線,逐步走向平台型晶片設計公司。

主營業務介紹
業務一:內存接口晶片

內存接口晶片,和內存(DRAM)晶片有較大差異,其是連接CPU和內存晶片之間的橋樑,集成在內存模組上。CPU負責計算,內存負責存儲數據,而內存接口晶片是CPU存取內存數據的必由通路,可以提高內存數據訪問速度和穩定性,實現數據緩衝的功能。內存接口晶片的誕生,是為了解決伺服器CPU的高處理速度與內存存儲速度不匹配的問題(CPU 比內存處理數據的速度快,不加緩衝的內存條無法滿足伺服器 CPU 的運行速度、信號完整性和穩定性方面的要求,因此需額外添加接口晶片來提升內存性能)。
DDR(Double Date Rate),指的是內存的雙倍速率。DDRx表示不同內存技術時代,而內存從DDR1DDR2DDR3DDR4DDR5的技術疊代,可以簡單理解成為內存的摩爾定律。從DDR到DDR5每次疊代,電源電壓值越來越低,數據傳輸速率呈幾何倍數增長。從上圖可以看出DDR技術平均每5年疊代一次,而CPU的摩爾定律是18個月性能翻一倍,2003年,隨著內存DDR2產品發行,內存性能已經明顯制約了CPU的速度,CPU不得不長時間處在一種等待狀態。由此,IDT、英特爾等相繼推出與之匹配的內存接口晶片(Memory Buffer、簡稱「MB」),其讀寫速度比內存更快,當CPU向內存中寫入或讀取數據時,CPU可以直接從中提取,從而實現數據吞吐量的提升。


綜上,內存接口晶片緊跟DDR內存技術的更新換代而不斷演進。其市場增長空間,在於DDR升級帶來的內存接口配套晶片數量的增多(詳情見後文市場空間測算)。
公司在內存接口晶片領域深耕十餘年,是全球可提供從 DDR2 到 DDR5 內存全緩衝/半緩衝晶片的主要供應商之一,能滿足高性能伺服器對高速、大容量的內存系統的需求。 在自DDR1推出後,20年內DDR系列已經更新至第五代(該標準於2020年7月公布,公布後各廠家開始投入於研發),每一代更新伴隨著內存密度等級、工作效率提升與工作電壓降低。在公司已有業績中,DDR5尚未開始做主要貢獻,為公司的最新產品。DDR5相比於DDR4具有更大的容量、更高的寬頻和更低的功耗。

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